Fasekontrolltyristor (friflytende type)

Beskrivelse:

Med utviklingen av økende kraft og kapasitet til omformerutstyr, spesielt HVDC-overføring, må utgangseffektkapasiteten til enhetstyristor øke tilsvarende, noe som vil redusere installasjonsmengden av tyristor i serie- og parallellkoblingskretser.Enhetens størrelse og vekt vil bli redusert, lavere investering, jevn strøm og jevn spenning vil bli realisert enkelt, pålitelig drift og kommersiell verdi vil øke betydelig.

Den frittflytende silisiumteknologien som brukes til å produsere høystrømtyristor med høy effekt vil tilfredsstille kravene til høye standarder.Og i juli 2019 hadde RUNAU Electronics utviklet 5200V tyristor med 5" chip vellykket og levert til kunden som søkte i Kina HVDC-prosjekt.

Introduksjon:

1. Chip

Den høye standard tyristorbrikken produsert av RUNAU Electronics er frittflytende teknologi brukt.Det er velkjent som den nyeste og modne teknologien for produksjon av høyspenttyristor med høy effekt.Det er mye brukt av de mest verdensklasse produsentene.

Diffusjonsprosessen ble optimalisert i tetthet og bredde for å øke spenningsmotstanden, redusere spenningsfallet i tilstanden og forbedre trigger- og dynamiske egenskaper.Nytt fotolitografimønster ble designet for å forbedre di/dt- og dv/dt-funksjonen.Kontaktstrukturen til brikken ble rekonstruert for å beskytte kanten av silisiumskiven og katodeoverflaten, den omvendte spenningsytelsen vil bli betydelig forbedret.

2. Innkapsling

Fordelen med frittflytende silisiumteknologi er at deformasjonen mellom silisium- og molybdenwafer er sterkt begrenset og forbruket av molybdenwafer redusert.Mens flatheten til silisiumplaten og kobberblokken i pakken er høyst nødvendig, er kravet til parallellitet og ruhet høyere enn legeringsbrikketeknologi.Ved kontinuerlig forbedring og innovasjon hadde RUNAU Electronic overvunnet alle tekniske vanskeligheter og barrierer.Den frie flytende teknologien, høyspent-tyristor med høy effekt med pålitelig ytelse og kommersiell effektiv løsning ble utviklet og levert til kunder.De fleste av dem er installert i den kontrollerbare likeretteren med høy effekt, mykstarter med høy spenning, HVDC-kraftoverføring, lokomotivtrekk, dynamisk reaktiv effektkompensasjon og pulskraftapplikasjonssystem.

Teknisk spesifikasjon

1. Fasekontrollert tyristor med brikke av legeringstype produsert av RUNAU Electronics, serie I_TAVfra 350A til 5580A og V_DRM/V_RRMfra 3400V til 8500V.
2. I_GT, V_GTog jeg_Her testverdiene ved 25℃, med mindre annet er oppgitt, er alle de andre parameterne testverdiene under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformet halvbølge strømbasebredde.Ved 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Ved 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;Jeg²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: