Rask bytte tyristor

Beskrivelse:

Rask brytertyristor, med samme struktur og symbol på fasekontrolltyristor, mens de bedre statiske egenskapene, spesielt dynamiske egenskaper, kreves av høyfrekvent anvendelse av likeretting, hakking, inverter og frekvenskonverteringskrets.De dynamiske parametrene til den raske tyristoren er rask innkoblingshastighet og ekspansjonshastighet, mindre omvendt gjenopprettingslading og kort avslåingstid, høy kritisk stigningshastighet for på-tilstandsstrøm (di/dt) og kritisk hastighet på stigning i off-state spenning (dv/dt).Merkestrømmen til den raske tyristoren innenfor nominell frekvens reduseres ikke eller reduseres litt når frekvensen øker.

Den raske brytertyristorproduksjonsstandarden og prosesseringsteknologien til RUNAU Electronics ble introdusert fra USA siden 1980-tallet, som en pioner innen produksjon av tyristor i Kina, hadde det tekniske teamet til RUNAU skaffet seg banebrytende kunnskap og rikelig produksjonserfaring i mer enn 30 år.På grunnleggende av tradisjonell produksjonsprosess, hadde talentteknikerne til RUNAU Electronics utviklet kunst-of-state-teknologien i produksjon av tyristor med fordelfunksjonene til europeiske produkter, kvaliteten og ytelsen er betydelig forbedret, flere store gevinster oppnådd i kraftelektronikkapplikasjoner, og mer verdi ble skapt for partnere.

Introduksjon:

1. Chip

Tyristorbrikken produsert av RUNAU Electronics er sintret legeringsteknologi som brukes.Silisium- og molybdenskiven ble sintret for legering av rent aluminium (99,999 %) under høyvakuum og høytemperaturmiljø.Administrering av sintringsegenskaper er nøkkelfaktoren for å påvirke kvaliteten på tyristor.Kunnskapen til RUNAU Electronics i tillegg til å håndtere legeringskryssdybden, overflateplanhet, legeringshulrom samt full diffusjonsevne, ringsirkelmønster, spesiell portstruktur.Også den spesielle behandlingen ble brukt for å redusere bærerlevetiden til enheten, slik at den interne bærerrekombinasjonshastigheten akselereres kraftig, den omvendte gjenopprettingsladningen til enheten reduseres, og byttehastigheten forbedres følgelig.Slike målinger ble brukt for å optimalisere de raske svitsjekarakteristikkene, på-tilstandskarakteristikker og overspenningsstrømegenskapene.Ytelsen og ledningsdriften til tyristor er pålitelig og effektiv.

2. Innkapsling

Ved streng kontroll av flathet og parallellitet til molybdenskiven og ekstern pakke, vil brikken og molybdenplaten bli integrert med ekstern pakke tett og fullstendig.Slikt vil optimere motstanden til overspenningsstrøm og høy kortslutningsstrøm.Og måling av elektronfordampningsteknologi ble brukt for å lage en tykk aluminiumsfilm på silisiumplateoverflaten, og rutheniumlag belagt på molybdenoverflaten vil forbedre termisk tretthetsmotstand betraktelig, og levetiden til hurtigbrytertyristor vil økes betydelig.

Teknisk spesifikasjon

1. Hurtigbrytertyristor med brikke av legeringstype produsert av RUNAU Electronics, utvalg av I_TAVfra 200A til 4000A og V_DRM/V_RRMfra 1200V til 4500V.
2. I_GT, V_GTog jeg_Her testverdiene ved 25℃, med mindre annet er oppgitt, er alle de andre parameterne testverdiene under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformet halvbølge strømbasebredde.Ved 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Ved 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;Jeg²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: