1. GB/T 4023—1997 Diskrete enheter av halvlederenheter og integrerte kretser Del 2: Likeretterdioder
2. GB/T 4937—1995 Mekaniske og klimatiske testmetoder for halvlederenheter
3. JB/T 2423—1999 Power Semiconductor Devices – Modelleringsmetode
4. JB/T 4277—1996 Power Semiconductor Device Packaging
5. JB/T 7624—1994 Likeretterdiodetestmetode
1. Modellnavn: Modellen til sveisedioden refererer til regelverket i JB/T 2423-1999, og betydningen av hver del av modellen er vist i figur 1 nedenfor:
2. Grafiske symboler og terminal (under) identifikasjon
Grafiske symboler og terminalidentifikasjon er vist i figur 2, pilen peker på katodeterminalen.
3. Form og monteringsmål
Formen på den sveisede dioden er konveks og skivetype, og formen med størrelse skal oppfylle kravene i figur 3 og tabell 1.
Punkt | Dimensjon (mm) | ||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
Katodeflens (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
Katode og anode Mesa(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
Maks diameter på keramisk ring(D2maks) | 55,5 | 71,5 | 90 |
Total tykkelse (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
Monteringsposisjonshull | Diameter på hullet: φ3,5±0,2 mm, dybde på hullet: 1,5±0,3 mm | ||
Merk: detaljert dimensjon og størrelse vennligst konsulter |
1. Parameternivå
Serien med reversert repeterende toppspenning (VRRM) er som spesifisert i tabell 2
Tabell 2 Spenningsnivå
VRRM(V) | 200 | 400 |
Nivå | 02 | 04 |
2. Grenseverdier
Grenseverdier skal være i samsvar med tabell 3 og gjelde for hele driftstemperaturområdet.
Tabell 3 Grenseverdi
Grenseverdi | Symbol | Enhet | Verdi | |||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
Kassetemperatur | Tcase | ℃ | -40–85 | |||
Ekvivalent krysstemperatur (maks.) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
Lager temperatur | Tstg | ℃ | -40–170 | |||
Gjentatt topp reversspenning (maks.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
Reverser ikke-repeterende toppspenning (maks | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
Fremover gjennomsnittlig strøm (maks.) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18 000 |
Fremover (ikke-repeterende) overspenningsstrøm (maks.) | IFSM | A | 55 000 | 85 000 | 120 000 | 135 000 |
I²t (maks) | I²t | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
Monteringskraft | F | kN | 22–24 | 30–35 | 45–50 | 52–57 |
3. Karakteristiske verdier
Tabell 4 Maks karakteristiske verdier
Karakter og tilstand | Symbol | Enhet | Verdi | |||
ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
Fremover toppspenningIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1,05 |
Reversere repeterende toppstrømTj=25 ℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
Termisk motstand Junction-to-case | Rjc | ℃/W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
Merk: for spesielle krav, vennligst kontakt |
Desveisediodeprodusert av Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor er mye brukt i motstandssveiser, mellom- og høyfrekvente sveisemaskiner opp til 2000Hz eller høyere.Med en ultralav foroverspenning, ultralav termisk motstand, toppmoderne produksjonsteknologi, utmerket substitusjonsevne og stabil ytelse for globale brukere, er sveisedioden fra Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor en av de mest pålitelige enhetene i Kina. halvlederprodukter.