Press-Pack IGBT
Presspakke IGBT (IEGT)
| TYPE | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Merk:D- med djodedel, A-uten diodedel
Konvensjonelt ble loddekontakt IGBT-modulene brukt i bryterutstyret til det fleksible DC-transmisjonssystemet.Modulpakken er ensidig varmeavledning.Strømkapasiteten til enheten er begrenset og kan ikke kobles i serie, dårlig levetid i saltluft, dårlig vibrasjonsantisjokk eller termisk tretthet.
Den nye typen press-kontakt høyeffekt press-pack IGBT-enhet løser ikke bare fullstendig problemene med ledighet i loddeprosessen, termisk tretthet av loddemateriale og lav effektivitet av ensidig varmespredning, men eliminerer også den termiske motstanden mellom forskjellige komponenter, minimer størrelsen og vekten.Og forbedre arbeidseffektiviteten og påliteligheten til IGBT-enheten betydelig.Det er ganske egnet for å tilfredsstille kravene til høy effekt, høy spenning og høy pålitelighet til det fleksible DC-overføringssystemet.
Utskifting av loddekontakttype med presspakke IGBT er avgjørende.
Siden 2010 har Runau Electronics blitt utviklet for å utvikle ny type IGBT-enhet med presspakning og etterfølge produksjonen i 2013. Ytelsen ble sertifisert av nasjonal kvalifisering og den banebrytende prestasjonen ble fullført.
Nå kan vi produsere og levere seriepresspakke IGBT med IC-område i 600A til 3000A og VCES-område i 1700V til 6500V.Et praktfullt perspektiv på press-pack IGBT laget i Kina for å bli brukt i Kina fleksibelt DC overføringssystem er svært forventet, og det vil bli en annen verdensklasse milepæl for Kina kraftelektronikk industri etter høyhastighets elektrisk tog.
Kort introduksjon av typisk modus:
1. Modus: Press-pack IGBT CSG07E1700
●Elektriske egenskaper etter pakking og pressing
● Omvendtparallelltilkoblethurtiggjenopprettingsdiodekonkluderte
● Parameter：
Nominell verdi (25 ℃)
en.Samleremitterspenning: VGES=1700（V）
b.Gatesenderspenning: VCES=±20（V）
c.Samlerstrøm: IC=800（A）ICP=1600（A）
d.Collector Power Dissipation: PC=4440（W）
e.Arbeidspunkttemperatur: Tj=–20~125℃
f.Lagringstemperatur: Tstg=–40~125℃
Merk: enheten vil bli skadet hvis den overskrider den nominelle verdien
ElektriskCegenskaper, TC＝125℃，Rth (termisk motstand avveikryss tilsak）ikke inkludert
en.Gatelekkasjestrøm: IGES=±5（μA）
b.Collector Emitter Blocking Current ICES=250（mA）
c.Samleremittermetningsspenning: VCE(sat)=6(V)
d.Gatesenderterskelspenning: VGE(th)=10(V)
e.Slå på tid: Tonn=2,5μs
f.Slå av tid: Toff=3μs
2. Modus: Press-pack IGBT CSG10F2500
●Elektriske egenskaper etter pakking og pressing
● Omvendtparallelltilkoblethurtiggjenopprettingsdiodekonkluderte
● Parameter：
Nominell verdi (25 ℃)
en.Samleremitterspenning: VGES=2500（V）
b.Gatesenderspenning: VCES=±20（V）
c.Samlerstrøm: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Samlerkraftspredning: PC=4800（W）
e.Arbeidspunkttemperatur: Tj=–40~125℃
f.Lagringstemperatur: Tstg=–40~125℃
Merk: enheten vil bli skadet hvis den overskrider den nominelle verdien
ElektriskCegenskaper, TC＝125℃，Rth (termisk motstand avveikryss tilsak）ikke inkludert
en.Gatelekkasjestrøm: IGES=±15（μA）
b.Collector Emitter Blocking Current ICES=25（mA）
c.Samleremittermetningsspenning: VCE(sat)=3,2 (V)
d.Gatesenderterskelspenning: VGE(th)=6,3(V)
e.Slå på tid: Tonn=3,2μs
f.Slå av tid: Toff=9,8μs
g.Diode Fremspenning: VF=3,2 V
h.Diode omvendt gjenopprettingstid: Trr=1,0 μs
3. Modus: Press-pack IGBT CSG10F4500
●Elektriske egenskaper etter pakking og pressing
● Omvendtparallelltilkoblethurtiggjenopprettingsdiodekonkluderte
● Parameter：
Nominell verdi (25 ℃)
en.Samleremitterspenning: VGES=4500（V）
b.Gatesenderspenning: VCES=±20（V）
c.Samlerstrøm: IC=600（A）ICP=2000（A）
d.Collector Power Dissipation: PC=7700（W）
e.Arbeidspunkttemperatur: Tj=–40~125℃
f.Lagringstemperatur: Tstg=–40~125℃
Merk: enheten vil bli skadet hvis den overskrider den nominelle verdien
ElektriskCegenskaper, TC＝125℃，Rth (termisk motstand avveikryss tilsak）ikke inkludert
en.Gatelekkasjestrøm: IGES=±15（μA）
b.Collector Emitter Blocking Current ICES=50（mA）
c.Samleremittermetningsspenning: VCE(sat)=3,9 (V)
d.Gatesenderterskelspenning: VGE(th)=5,2 (V)
e.Slå på tid: Tonn=5,5μs
f.Slå av tid: Toff=5,5μs
g.Diode Fremspenning: VF=3,8 V
h.Diode omvendt gjenopprettingstid: Trr=2,0 μs
Merk:Press-pack IGBT er fordel i langsiktig høy mekanisk pålitelighet, høy motstand mot skade og egenskapene til pressekoblingsstrukturen, er praktisk å brukes i serieenheter, og sammenlignet med den tradisjonelle GTO-tyristoren er IGBT spenningsdrivmetoden .Derfor er den enkel å betjene, sikker og bredt driftsområde.