Fasekontrolltyristor (legeringstype)

Beskrivelse:

Thyristor, også kjent som Silicon Control Rectifier (SCR), er en høyeffekts halvlederenhet som består av tre PN-strukturer.Når det gjelder ytelse, har tyristoren ikke bare ensrettet ledningsevne, men har også mer verdifull kontrollerbarhet enn silisium likeretterelementet, som bare to tilstander av ledning og off-state, for å kontrollere stor effekt med liten effekt, effektforsterkning opptil hundrevis eller tusenvis av ganger.Reaksjonen er veldig rask, og slås av og på i løpet av mikrosekunder.Berøringsfri drift, ingen gnister, ingen støy, mens høy effektivitet og lave kostnader.Derfor, spesielt i høystrømforsyningssystem, har tyristor blitt mye brukt i likeretterkrets, statisk bypass-bryter, kontaktfri utgangsbryter og andre kretser.

Tyristorproduksjonsstandarden og prosesseringsteknologien til RUNAU Electronics ble introdusert fra USA siden 1980-tallet, som en pioner innen produksjon av tyristor i Kina, hadde det tekniske teamet til RUNAU tilegnet seg banebrytende kunnskap og rikelig produksjonserfaring i mer enn 30 år.På grunnleggende av tradisjonell produksjonsprosess, hadde talentteknikerne til RUNAU Electronics utviklet kunst-of-state-teknologien i produksjon av tyristor med fordelfunksjonene til europeiske produkter, kvaliteten og ytelsen er betydelig forbedret, flere store gevinster oppnådd i bruken av kraftelektronikk felt, og mer verdi ble skapt for partnere.

Introduksjon:

1. Chip

Tyristorbrikken produsert av RUNAU Electronics er sintret legeringsteknologi som brukes.Silisium- og molybdenskiven ble sintret for legering av rent aluminium (99,999 %) under høyvakuum og høytemperaturmiljø.Administrering av sintringsegenskaper er nøkkelfaktoren for å påvirke kvaliteten på tyristor.Kunnskapen til RUNAU Electronics, i tillegg til å administrere legeringskryssdybden, overflateplanhet, legeringshulrom samt full diffusjonsevne, senterport, ringsirkelmønster ble brukt for å muliggjøre pålitelig og høyeffektiv ledningsdrift av tyristor, for å sikre ytelse av høy kvalitet.

2. Innkapsling

Ved streng kontroll av flathet og parallellitet til molybdenskiven og ekstern pakke, vil brikken og molybdenplaten bli integrert med ekstern pakke tett og fullstendig.Slikt vil optimere motstanden til overspenningsstrøm og høy kortslutningsstrøm.Og måling av elektronfordampningsteknologi ble brukt for å lage en tykk aluminiumsfilm på silisiumplateoverflaten, og rutheniumlag belagt på molybdenoverflaten vil forbedre termisk tretthetsmotstand betraktelig, tyristorens levetid vil økes betydelig.

Teknisk spesifikasjon

1. Fasekontrollert tyristor med brikke av legeringstype produsert av RUNAU Electronics, serie I_TAVfra 300A til 6000A og V_DRM/V_RRMfra 800V til 4400V.
2. I_GT, V_GTog jeg_Her testverdiene ved 25℃, med mindre annet er oppgitt, er alle de andre parameterne testverdiene under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformet halvbølge strømbasebredde.Ved 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Ved 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;Jeg²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: