Fast Switch-tyristor (YC-serien med høy standard)

Beskrivelse

GEs produksjonsstandard og prosesseringsteknologi ble introdusert og brukt av RUNAU Electronics siden 1980-tallet.Den komplette produksjons- og testtilstanden var fullstendig sammenfallende med kravet til USAs markedskrav.Som en pioner innen produksjon av tyristor i Kina, hadde RUNAU Electronics levert kunsten med statlig kraftelektronikk til USA, europeiske land og globale brukere.Det er høyt kvalifisert og vurdert av kundene, og flere store gevinster og verdier ble skapt for partnere.

Introduksjon:

1. Chip

Tyristorbrikken produsert av RUNAU Electronics er sintret legeringsteknologi som brukes.Silisium- og molybdenskiven ble sintret for legering av rent aluminium (99,999 %) under høyvakuum og høytemperaturmiljø.Administrering av sintringsegenskaper er nøkkelfaktoren for å påvirke kvaliteten på tyristor.Kunnskapen til RUNAU Electronics i tillegg til å håndtere legeringskryssdybden, overflateplanhet, legeringshulrom samt full diffusjonsevne, ringsirkelmønster, spesiell portstruktur.Også den spesielle behandlingen ble brukt for å redusere bærerlevetiden til enheten, slik at den interne bærerrekombinasjonshastigheten akselereres kraftig, den omvendte gjenopprettingsladningen til enheten reduseres, og byttehastigheten forbedres følgelig.Slike målinger ble brukt for å optimalisere de raske svitsjekarakteristikkene, på-tilstandskarakteristikker og overspenningsstrømegenskapene.Ytelsen og ledningsdriften til tyristor er pålitelig og effektiv.

2. Innkapsling

Ved streng kontroll av flathet og parallellitet til molybdenskiven og ekstern pakke, vil brikken og molybdenplaten bli integrert med ekstern pakke tett og fullstendig.Slikt vil optimere motstanden til overspenningsstrøm og høy kortslutningsstrøm.Og måling av elektronfordampningsteknologi ble brukt for å lage en tykk aluminiumsfilm på silisiumplateoverflaten, og rutheniumlag belagt på molybdenoverflaten vil forbedre termisk tretthetsmotstand betraktelig, og levetiden til hurtigbrytertyristor vil økes betydelig.

Teknisk spesifikasjon

1. Hurtigbrytertyristor med brikke av legeringstype produsert av RUNAU Electronics, i stand til å tilby de fullt kvalifiserte produktene i USA-standard.
2. I_GT, V_GTog jeg_Her testverdiene ved 25℃, med mindre annet er oppgitt, er alle de andre parameterne testverdiene under T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Sinusformet halvbølge strømbasebredde.Ved 50Hz, I²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Ved 60Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1.066,T_j=T_j;Jeg²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: